[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880022092.6 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101689539A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 定别当裕康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝文博;王 琼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括半导体结构，设置有半导体基底和多个用于外部连接的电极(13)，设置在半导体基底的下面。下层绝缘膜(1)设置在半导体结构的下面和周围。多个下层布线(22，22A)电连接到半导体结构的用于外部连接的电极，并且设置在下层绝缘膜的下面。绝缘层(31)设置在下层绝缘膜上，位于半导体结构的边缘中。上层绝缘膜(32)设置在半导体结构和绝缘层上。多个上层布线(33，33A)设置在上层绝缘膜上。半导体结构和绝缘层安装在其上的基板(51)被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体结构(2)，具有半导体基底(4)和设置在半导体基底下面的多个用于外部连接的电极(13)；下层绝缘膜(1)，设置在半导体结构的下面和周围；多个下层布线(22，22A)，电连接到半导体结构的用于外部连接的电极，并且设置在下层绝缘膜的下面；绝缘层(31)，设置在下层绝缘膜上，位于半导体结构的周围；上层绝缘膜(32)，设置在半导体结构和绝缘层上；和多个上层布线(33，33A)，设置在上层绝缘膜上，其中下层绝缘膜安装在其上的基板(51)被去除。
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