[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880022537.0 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101689593A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括凹部的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：具有凹部或凸部的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层。
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