[发明专利]导电性微粒、各向异性导电材料及连接结构体有效
| 申请号： | 200880022648.1 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101689413A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 上野山伸也;佐佐木拓;孙仁德;久保田敬士 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;H01R43/00;H01B5/16;B23K35/26;H01R11/01;C22C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种可以降低连接电阻值、可以实现高连接可靠性的导电性微粒。另外，本发明的目的在于，提供使用该导电性微粒制成的各向异性导电材料及连接结构体。本发明的导电性微粒是在树脂微粒的表面依次层叠有含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒，其特征在于，所述第13族元素在所述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.01～6重量％。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 微粒 各向异性 导电 材料 连接 结构 | ||
【主权项】：
1.一种导电性微粒，其是在树脂微粒的表面依次层叠有含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒，其中所述第13族元素在所述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.01～6重量％。
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