[发明专利]复合氧化物烧结体、非晶复合氧化膜及其制造方法和晶体复合氧化膜及其制造方法

摘要

一种非晶膜，其特征在于，实质上由铟、锡、钙和氧构成，含有以Sn/(In+Sn+Ca)的原子数比计比例为5～15％的锡、以Ca/(In+Sn+Ca)的原子数比计比例为0.1～2.0％的钙，余量由铟和氧构成，并且，通过在260℃以下的温度下退火，膜晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于，提供ITO系膜、该膜的制造方法及用于制造该膜的烧结体，在不加热衬底且成膜时不添加水的条件下，将平板显示器用显示电极等所使用的ITO系薄膜溅射成膜，得到非晶ITO系膜，并且该ITO系膜具有通过260℃以下的不太高的温度下的退火而晶化，晶化后的电阻率降低的特性。

主权项

1.一种复合氧化物烧结体，其特征在于，实质上由铟、锡、钙和氧构成，含有以Sn/(In+Sn+Ca)的原子数比计比例为5～15％的锡、以Ca/(In+Sn+Ca)的原子数比计比例为0.1～2.0％的钙，余量由铟和氧构成。