[发明专利]发光纳米复合颗粒有效

专利信息
申请号: 200880022763.9 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101690401A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: K·B·卡亨 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H05B33/14 分类号: H05B33/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王 岳;王忠忠
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于制造无机发光层的方法,包括:将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以及(一个或多个)半导体纳米颗粒前体组合;生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液;形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体;沉积所述胶态分散体以形成膜;以及对膜进行退火以形成所述无机发光层。
搜索关键词: 发光 纳米 复合 颗粒
【主权项】:
1.一种用于制造无机发光层的方法,包括:(a)将用于半导体纳米颗粒生长的溶剂、核/壳量子点的溶液、以及(一个或多个)半导体纳米颗粒前体组合;(b)生长半导体纳米颗粒以形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的粗溶液;(c)形成核/壳量子点、半导体纳米颗粒、以及连接到所述核/壳量子点的半导体纳米颗粒的单胶态分散体;(d)沉积所述胶态分散体以形成膜;以及(e)对该膜进行退火以形成所述无机发光层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880022763.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top