[发明专利]使用保形绝缘体层形成互补金属元件有效
申请号: | 200880022789.3 | 申请日: | 2008-06-27 |
公开(公告)号: | CN101730928A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 夏堪杰;卡尔文·K·李;克里斯托弗·J·佩蒂 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克3D有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种用以形成密集间隔的金属线的方法。第一组金属线通过蚀刻第一金属层而形成。薄介电层保形地沉积在第一金属线上。第二金属沉积在薄介电层上,填充第一金属线之间的间隙。第二金属层平坦化以形成插入在第一金属线之间的第二金属线,在基本上平坦的表面上共同暴露薄介电层和第二金属层。在一些实施例中,继续平坦化以去除第一金属线的薄介电质覆盖顶部,在基本上平坦的表面上共同暴露由薄介电层分隔开的第一金属线和第二金属线。 | ||
搜索关键词: | 使用 绝缘体 形成 互补 金属 元件 | ||
【主权项】:
一种用于在底层上沉积至少两个金属层的方法,包括:在所述底层上沉积第一金属层;掩蔽所述第一金属层使得所述第一金属层包括第一被掩蔽的部分和第一未掩蔽的部分;以及蚀刻所述第一金属层使得所述第一未掩蔽的部分去除到所述底层;在所述第一金属层上和所述底层上沉积第一中间层;在所述第一中间层上沉积第二金属层;以及平坦化所述第二金属层以在第一基本上平坦的表面处共同暴露所述第一中间层和所述第二金属层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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