[发明专利]背面入射型测距传感器以及测距装置有效
| 申请号： | 200880023309.5 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101688915A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 间瀬光人;铃木高志;水野诚一郎;武村光隆 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01S17/10 | 分类号： | G01S17/10;H01L27/146;H01L31/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d’(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d’(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 入射 测距 传感器 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种背面入射型测距传感器，其特征在于，具备：具有光入射面和与所述光入射面相反的一侧的表面的半导体基板；设置于所述表面上的光电栅极；在所述表面上与所述光电栅极邻接地设置的第1和第2栅极；以及用于分别读取从所述光电栅极的正下方的区域流入所述第1和第2栅极的正下方的区域的载流子的第1和第2半导体区域。
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