[发明专利]离子注入机及其内部结构及在注入机中形成涂层的方法有效
| 申请号： | 200880023867.1 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101730927A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张敬翼;芮庚焕;金三雄;林容涉 | 申请（专利权）人： | 高美科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种离子注入机，包括处理室和涂层。处理室容纳基板，并且提供用于在基板上进行离子注入处理的空间。涂层设在处理室的内壁上以减小基板的污染，并且包括与基板相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 及其 内部结构 形成 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入机，包括处理室，提供用于容纳基板以及在所述基板上进行离子注入处理的空间；及涂层，其设在所述处理室中的内壁或内部部件的表面上以防止所述基板的污染，并且包括与设在所述处理室中的所述基板相同的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
