[发明专利]低腐蚀坑密度（EPD）半绝缘Ⅲ-Ⅴ晶片无效
| 申请号： | 200880024243.1 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101688323A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国;M·S·扬;M·H·巴达维 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟守期;唐铁军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了使用一种低EPD晶体生长方法制备晶片的系统和方法，并提供一种晶片退火方法，以形成III-V/GaAs晶片，提高由晶片制得的器件的产率。在一个示例性实施方式中，提供了一种制备具有低腐蚀坑密度(EPD)的III族基材料的方法。此外，该方法包括形成多晶III族基化合物；和使用所述多晶III族基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长。其他的示例性的实施方式可以包括在形成III族基晶体期间，控制一个或多个温度梯度，以提供非常低的腐蚀坑密度。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 密度 epd 绝缘 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种制造一种具有低腐蚀坑密度(EPD)的镓基材料的方法，该方法包括形成多晶镓基化合物；和使用所述多晶镓基化合物进行垂直梯度凝固晶体生长，其中进行垂直梯度凝固晶体生长的步骤包括：在形成镓基晶体过程中，控制一个或多个温度梯度，以使镓基晶体的腐蚀坑密度低于约900/平方厘米。
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