[发明专利]低噪音磁场传感器无效
| 申请号： | 200880024300.6 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101688904A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 伯纳德·迪耶尼;克莱尔·巴拉迪克;塞巴斯蒂安·珀蒂;克里斯托弗·蒂里翁 | 申请（专利权）人： | 法国原子能委员会 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻传感器，其包括第一俘获磁化磁层(410)和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，这两个层被用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开。传感器进一步包括第二俘获磁化磁层(450)，其通过用于磁去耦的第二隔离层(440)与所述敏感层隔开，第一和第二隔离层位于所述敏感层的两侧，并且在没有外场的情况下，第一俘获磁化磁层和敏感层的各自磁化基本正交。选择第二俘获层的磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 噪音 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，包括被称作第一俘获层的第一俘获磁化磁层(410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，所述第一俘获层和所述敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开，其特征在于，所述磁阻传感器进一步包括被称作第二俘获层的第二俘获磁化磁层(450)，所述第二俘获层通过用于磁去耦的第二隔离层(440)与所述敏感层隔开，所述第一和第二隔离层位于所述敏感层的两侧，在没有外场的情况下，所述第一俘获层和所述敏感层的各自的磁化基本正交，所述传感器适于使直流电流从所述第一俘获层流向所述第二俘获层，并且，所述第二俘获层的磁化(π2)被定向为在所述第一俘获层的磁化方向(π1)和所述敏感层的磁化方向(M0)之间的中间方向上，在没有外场的情况下，允许极限方向。
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