[发明专利]利用等离子体增强化学气相沉积来制造高机械性能的极低K膜的新型硅前驱物有效
| 申请号： | 200880024356.1 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101743247A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 任康树;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/00 | 分类号： | C07F7/00;C07F7/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在基板上沉积低介电常数膜的方法。此低介电常数膜是利用包含使一种或多种有机硅化合物与成孔剂反应后，再对所沉积膜进行后处理而于膜中产生孔的方法来沉积的。此一种或多种有机硅化合物包括具有Si-Cx-Si或-Si-O-(CH2)n-O-Si-通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜包括在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键的膜。此低介电常数膜具有良好的机械力和黏性，以及期望的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 增强 化学 沉积 制造 机械性能 新型 前驱 | ||
【主权项】：
1.一种沉积低介电常数膜的方法，包括：引入一种或多种有机硅化合物到一腔室中，其中该一种或多种有机硅化合物包含具有以下通式的化合物：![]()
其中每一R1具有CnH2n+1或CmH2m-1的通式，其中m是1至3且n是0至3，且R2选自由(CH2)a、C＝C、c≡c、C6H4、C＝O、(CF2)b及其组合所组成的群组，其中a和b独立地为1至4或具有如下结构：![]()
其中每一R3具有CnH2n+1、OCnH2n+1或CmH2m-1的通式，其中m是1至3，n是0至3，且c和d独立地为1至4；引入一成孔剂到该腔室内；在RF功率下，使该一种或多种有机硅化合物与该成孔剂反应，以在该腔室内的一基板上沉积低介电常数膜；且之后对该低介电常数膜施加后处理，以实质移除该低介电常数膜中的成孔剂，其中该经过后处理的低介电常数膜包含Si-Cx-Si键。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880024356.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
