[发明专利]一种电阻改变存储器设备及其编程方法有效
| 申请号： | 200880024973.1 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101755306A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 户田春希;中井弘人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;周良玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对电阻改变存储器设备进行编程的方法，包括：向存储器基元施加编程电压脉冲，用来编程目标电阻数值；设定各自编程电压脉冲之间的热弛豫时间；并且根据由先前编程电压脉冲施加所决定的当前基元的电阻数值，控制每个编程电压脉冲的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 改变 存储器 设备 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对电阻改变存储器设备进行编程的方法，包括：向存储器基元施加编程电压脉冲，用于编程目标电阻数值；设定各编程电压脉冲之间的热弛豫时间；并且根据由先前编程电压脉冲施加所决定的当前基元的电阻数值，控制每个编程电压脉冲的形状。
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