[发明专利]成膜装置、成膜方法、存储介质及气体供给装置有效
申请号: | 200880025121.4 | 申请日: | 2008-09-11 |
公开(公告)号: | CN101755325A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 津田荣之辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蒋亭;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种成膜装置,具备处理容器(2)、配置在处理容器(2)内且用于载置基板W的载置台(3)、与载置台(3)相对地配置且供给第一处理气体的第一气体供给孔(51b)、供给第二处理气体的第二气体供给孔(52b)、以及供给第三处理气体的第三气体供给孔(53b)的气体供给面(40a)的气体喷头(4)。气体供给面(40a)被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划(401),在构成该单元区划(401)的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气体供给孔(51b)、所述第二气体供给孔(52b)和所述第三气体供给孔(53b)。第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体各自互不相同,使这些第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应,在基板W的表面形成薄膜。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 存储 介质 气体 供给 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其特征在于,具备:处理容器,配置在所述处理容器内且用于载置基板的载置台,以及与所述载置台相对地配置且具有设有供给第一处理气体的第一气体供给孔、供给第二处理气体的第二气体供给孔和供给第三处理气体的第三气体供给孔的气体供给面的气体喷头;所述气体供给面被分割成由互为相同大小的正三角形构成的单元区划,在构成该单元区划的各正三角形的三个顶点分别设有所述第一气体供给孔、所述第二气体供给孔和所述第三气体供给孔,所述第一处理气体、所述第二处理气体和所述第三处理气体各自互不相同,使第一处理气体、第二处理气体和第三处理气体相互反应,在所述基板的表面形成薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造