[发明专利]太阳能电池以及形成该太阳能电池的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200880025273.4 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101755072A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 崔寿永;李立伟 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明实施方式大致关于提供一种用来在基板处理装置中形成改良薄膜单一或多结太阳能电池的方法与设备。实施方式之一提供一种系统,其中包含至少一处理腔室,其适以沉积一或多层用以形成一部分的太阳能电池。在一实施方式中,通过在沉积该一或多层于该基板上之前,在该处理腔室内表面执行清洁处理,来减少可在该处理区中进行处理的基板上的污染物量。此清洁处理包括沉积可捕捉在处理腔室中发现的污染物的层(如,干燥层或钝化层)。本发明其它实施方式可提供排程和/或将该清洁处理步骤放在基板处理顺序中的所需时间点,以改善整体系统的基板产出率。
搜索关键词: 太阳能电池 以及 形成 方法 设备
【主权项】:
一种在基板上形成太阳能电池器件的方法,包含:沉积二或多层在第一基板上,其中沉积该二或多层的步骤包括:在处理腔室内形成本征层在该第一基板的表面上,及形成第一掺杂层于该形成在该第一基板上的本征层上,在沉积该二或多层于该第一基板上之后,钝化设置在该处理腔室的处理区中的腔室部件的表面,其中钝化该腔室部件的表面的步骤包括沉积包含硅的钝化层在该腔室部件的表面上,沉积二或多层在第二基板上,其中沉积该二或多层的步骤包括:形成本征层在该处理腔室中的第二基板的表面上;及形成第一掺杂层于该形成在该第二基板上的本征层上;及在沉积该二或多层于该第一和第二基板上之后,干燥该腔室部件的表面,其中干燥该腔室部件的表面的步骤包括:以清洁气体自该腔室部件移除一定量的材料;及沉积包含有硅的干燥层在该腔室部件的该表面上。
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