[发明专利]陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物无效
| 申请号： | 200880100035.5 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101754938A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 铃木利幸;宫内泰治;金田功 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/20 | 分类号： | C04B35/20;H01L23/15;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物，本发明的陶瓷基板的热膨胀系数α大、并具有适合于高频基板的特性、能够低温烧成，以及基板强度出色。陶瓷基板含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成，热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上，并含有大于0且25体积％以下的ZnAl2O4、或者大于0且7体积％以下的Al2O3。本发明的电介质瓷器组合物能够在比Ag类金属的熔点更低的温度下进行烧成，而且即使是在低烧成温度下也能够获得充分的抗折强度。电介质瓷器组合物含有Mg2SiO4作为主成分，并且含有锌氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、铜化合物以及锂化合物作为副成分。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 及其 制造 方法 以及 电介质 瓷器 组合 | ||
【主权项】：
一种陶瓷基板，其特征在于：是含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成、热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上的陶瓷基板，按大于0且25体积％以下的比例含有ZnAl2O4。
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