[发明专利]在晶圆上沉积薄膜的反应器有效
申请号: | 200880100169.7 | 申请日: | 2008-07-23 |
公开(公告)号: | CN101755073A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 韩昌熙;李昊荣;朴相俊;许真弼;安铁贤;李晶桓 | 申请(专利权)人: | IPS股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种沉积薄膜的装置。基板支撑单元可转动地安装于反应器内部并设有多个基板承载部分,其上分别承载多个基板。气体注入单元包括:多个源气体注入器,以提供至少二种不同的源气体至基板支撑单元上;多个冲洗气体注入器,设置于多个源气体注入器之间以提供冲洗各源气体的冲洗气体至基板支撑单元上,多个源气体注入器及多个冲洗气体注入器径向地安装在基板支撑单元上。排气单元呈环状围绕基板支撑单元的外周而设置且包括:排气通道,具有多个排气口以引导并将至少二种源气体排出至反应器外部;以及多个隔板,安装于排气渠道内且将排气通道区隔为多个彼此隔离的排气通路,藉此,以不同的路径将多个源气体注入器所提供的至少二种源气体排出至外部。 | ||
搜索关键词: | 晶圆上 沉积 薄膜 反应器 | ||
【主权项】:
一种沉积薄膜的装置,其特征在于包括:反应器;基板支撑单元,可转动地安装于所述反应器内部并设有多个基板承载部分,所述多个基板承载部分上分别装载多个基板;气体注入单元,包括多个源气体注入器,以提供至少二种不同的源气体至所述基板支撑单元上,且多个冲洗气体注入器设置于所述多个源气体注入器之间,以提供冲洗所述源气体的冲洗气体至所述基板支撑单元上,所述多个源气体注入器及所述多个冲洗气体注入器径向地安装在所述基板支撑单元上;以及排气单元,呈环状设置以围绕所述基板支撑单元的外周,且所述排气单元包括:排气通道,具有多个排气口以引导并将所述至少二种源气体排出至反应器外部,以及多个隔板,安装于所述排气通道内且将所述排气通道区隔为多个彼此隔离的排气通路,藉此以不同路径而将所述多个源气体注入器所提供的所述至少二种源气体排出至所述外部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的