[发明专利]用氟化组合物移除杂质的方法无效
| 申请号： | 200880100350.8 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101779275A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·D·奥尔森;菲利普·G·克拉克 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郇春艳;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种从具有离子注入区的基材移除杂质的方法。所述方法包括：将包含氟化溶剂和共溶剂的组合物施加至所述基材，所施加的量足以有助于从所述基材移除杂质。在杂质被移除后，保留了所述基材上的金属图案或其他所需特征物。另外，用于移除杂质的所述组合物对使用者或所述基材无害(即为非易燃性的和/或非腐蚀性的)。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 组合 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种将杂质从具有离子注入区的基材移除的方法，所述方法包括将包含氟化溶剂和共溶剂的组合物施加至所述基材，所施加的量足以有助于从所述基材移除杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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