[发明专利]制造薄膜Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池的方法

摘要

本发明利用其中牺牲层包括在基底和薄膜III-V族化合物太阳能电池之间的外延生长中的外延层剥离方法。为了在基底不存在的情况下为薄膜III-V族化合物太阳能电池提供支持，在薄膜III-V族化合物太阳能电池从基底分离之前，向薄膜III-V族化合物太阳能电池表面应用背衬层。为了从基底分离薄膜III-V族化合物太阳能电池，作为外延层剥离的一部分除去牺牲层。一旦薄膜III-V族化合物太阳能电池与基底分离，基底可以重复用于形成另一薄膜III-V族化合物太阳能电池。

主权项

一种制造薄膜III-V族化合物太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成牺牲层；在牺牲层上形成活性层；在活性层上形成背衬层；和从活性层和基底之间除去牺牲层，以便薄膜III-V族化合物太阳能电池与基底分离。