[发明专利]半导体发光元件以及其制造方法有效
| 申请号： | 200880101844.8 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101772846A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 市原隆志;吉田裕史;山田孝夫;若井阳平 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/301;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件的制造方法，由具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件，其特征在于，具有如下的工序：在平行所述定位面的方向Xo具有偏移角θ的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向Xo的方向Y上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角θ的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。
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