[发明专利]溅射设备和膜沉积方法有效
| 申请号： | 200880101880.4 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101855381A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 远藤彻哉;爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够形成磁各向异性的方向的变化减小的磁性膜的溅射设备和膜沉积方法。本发明的溅射设备设置有：可转动的阴极(802)、可转动的台架(801)和可转动的遮蔽板(805)。溅射设备控制阴极(802)、台架(801)和遮蔽板(805)中的至少一方的转动，使得在溅射过程中，使从靶材(803a)产生的溅射粒子中的以相对于基板(804)的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到基板(804)。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 设备 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射设备，所述溅射设备包括：阴极，所述阴极具有溅射靶材支撑面，所述溅射靶材支撑面能绕第一转轴转动；台架，所述台架具有基板支撑面，所述基板支撑面能绕与所述第一转轴平行地布置的第二转轴转动；以及遮蔽板，所述遮蔽板被布置于所述溅射靶材支撑面和所述基板支撑面之间，并且所述遮蔽板能绕所述第一转轴或所述第二转轴转动，其中，所述溅射靶材支撑面、所述基板支撑面和所述遮蔽板中的至少一方的转动被控制成使得：在溅射过程中，使从支撑于所述溅射靶材支撑面的溅射靶材产生的溅射粒子中的以相对于所述基板支撑面的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到支撑于所述基板支撑面的基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份有限公司，未经佳能安内华股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880101880.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
