[发明专利]显示器件及具有该显示器件的电子设备及其制造方法有效
| 申请号： | 200880101885.7 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101765917A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 小林聪;宫口厚;守屋芳隆;黑川义元;河江大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括电特性高、能够实现截止电流的降低的薄膜晶体管的显示器件。具有薄膜晶体管的该显示器件包括：衬底；设置在该衬底上的栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘膜；设置在栅电极上的微晶半导体膜，栅电极与微晶半导体层之间插入有栅极绝缘膜；设置在微晶半导体膜上且与该微晶半导体膜接触的沟道保护层；设置在栅极绝缘膜以及微晶半导体膜和沟道保护层的侧面上的非晶半导体膜；设置在非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及设置在杂质半导体层上且与该杂质半导体层接触的源电极及漏电极。非晶半导体膜的厚度大于微晶半导体膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 器件 具有 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括薄膜晶体管的显示器件，包括：设置在衬底上的栅电极；设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；设置在所述栅电极上的微晶半导体膜，所述栅电极与所述微晶半导体膜之间插入有所述栅极绝缘膜；设置在所述微晶半导体膜上且与所述微晶半导体膜接触的沟道保护层；设置在所述栅极绝缘膜上以及所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧面上的非晶半导体膜；设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及设置在所述杂质半导体层上且与所述杂质半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述非晶半导体膜的厚度大于所述微晶半导体膜的厚度。
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