[发明专利]导电纳米膜及使用该导电纳米膜的微机电系统传感器有效

专利信息
申请号: 200880102146.X 申请日: 2008-04-03
公开(公告)号: CN101801839A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 金龙协;李廷勋;姜泰俊;张议允 申请(专利权)人: SNU研发业务基金会
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及导电纳米膜以及使用该导电纳米膜的微机电系统传感器,更具体地,涉及通过堆叠聚合物电解质膜和碳纳米管层形成的导电纳米膜,以及使用该导电纳米膜的MEMS传感器。
搜索关键词: 导电 纳米 使用 微机 系统 传感器
【主权项】:
一种导电纳米膜,其包括:下部聚合物电解质膜;和形成于所述聚合物电解质膜上的碳纳米管层,碳纳米管的网络形成于所述碳纳米管层中。
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