[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体外延基板无效
| 申请号： | 200880102702.3 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101778967A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 天野浩;坂东章 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供抑制裂纹和位错的发生、使晶体品质提高的III族氮化物半导体外延基板即AlxGa1-xN(0≤x≤1)外延基板。尤其是提供适用于紫外或深紫外区域的发光元件的AlxGa1-xN(0＜x≤1)外延基板。本发明的III族氮化物半导体外延基板，其特征在于，包含基材和层叠于该基材上的AlxGa1-xN(0≤x≤1)层，在该AlxGa1-xN层的基材一侧存在具有-C极性的晶体和具有+C极性的晶体混杂的层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 外延 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体外延基板，包含基材和层叠于该基材上的AlxGa1-xN(0≤x≤1)层，其特征在于，在该AlxGa1-xN层的基材一侧存在具有-C极性的晶体和具有+C极性的晶体混杂的层。
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