[发明专利]溅射方法有效
| 申请号： | 200880103579.7 | 申请日： | 2008-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101784694A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 新井真;清田淳也;市桥祐次;小岛雄司 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜形成方法，在抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的同时，防止薄膜形成速度的大幅度增加，能够对大面积的处理基板形成良好的薄膜。向在溅射室12内与处理基板S相对并且以规定间隔并列设置的多片靶41a至41h中分别成对的靶施加电力，并按照规定的频率交替改变极性，将各个靶转换为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电，形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地使向各个靶施加的功率减少。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射方法，在向溅射室内导入工艺气体的同时，向溅射室内与处理基板相对并且以规定间隔并列设置的多片靶中各成对的靶施加电力，并按照规定的频率交替改变极性，将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电，形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，从而在处理基板的表面上形成规定的薄膜，其特征在于，在溅射中，按照规定的间隔减少向各个靶施加的功率。
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