[发明专利]内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装以及形成内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装的方法有效
| 申请号： | 200880103997.6 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101785110A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | D·法雷尔;S·伍德 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H03F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种封装的RF功率器件包括：晶体管，其具有控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作；RF信号输入引线，其耦合到控制端子；以及RF信号输出引线，其耦合到输出端子。谐波降低器耦合到该晶体管的控制端子和/或输出端子并且被配置成为基本工作频率的N次谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径，其中N＞1。该器件还包括容纳晶体管和谐波降低器的封装，其中输入引线和输出引线从该封装延伸。还公开了多芯片封装。 | ||
| 搜索关键词： | 内部 谐波 频率 降低 rf 功率 晶体管 封装 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种封装的RF功率器件，包括：晶体管，其包括控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作；RF信号输入引线，其耦合到该晶体管的控制端子；RF信号输出引线，其耦合到该晶体管的输出端子；谐波降低器，其耦合到该晶体管的控制端子和/或输出端子并且被配置成为基本工作频率的谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径；以及封装，其容纳所述晶体管和谐波降低器，并且所述RF信号输入引线和所述RF信号输出引线从该封装延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880103997.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
