[发明专利]低阻抗晶圆穿孔有效
| 申请号： | 200880104019.3 | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101785103A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 彼得·尼尔森 | 申请（专利权）人： | AAC微技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;B81B7/00;H01L21/768;H01L23/52;H05K3/40;H05K3/42 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 瑞典乌*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆(3)，该晶圆(3)包括由晶圆通路孔(9)和至少第一导电涂层(25)形成的贯通晶圆(3)的晶圆穿孔(7)。晶圆通路孔(9)的除缩颈(23)之外的大致竖直的侧壁(11)提供在晶圆上占据小面积的可靠的晶圆穿孔(7)。晶圆(3)优选是由如硅等半导体材料或玻璃陶瓷制成的。本发明还说明了这种晶圆(3)的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 穿孔 | ||
【主权项】：
一种晶圆(3)，其包括从所述晶圆(3)的上侧(4)延伸到下侧(5)的晶圆穿孔(7)，其中，所述晶圆穿孔(7)包括晶圆通路孔(9)，所述晶圆通路孔(9)的侧壁(11)至少部分地覆盖有第一导电涂层(25)，所述晶圆(3)的特征在于，所述晶圆通路孔(9)至少包括具有大致竖直的侧壁(16)的第一部分(13)和形成缩颈(23)的第二部分(14)，该缩颈(23)至少具有在所述晶圆通路孔(9)中朝向所述上侧变宽的上倾斜侧壁(20)。
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