[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置无效
| 申请号： | 200880104378.9 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101785052A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 黑川刚平;佐佐木有三;小松田辰;桥本笃志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/65;G11B5/667 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供兼备磁性晶粒的粒径微细化和高密度化，并且即使减薄中间层～种子层的非磁性层的膜厚也能够保持磁记录层的垂直取向性从而能够进行高密度的信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述的磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，取向控制层由多层构成，包括从基板侧起的种子层和中间层，作为种子层和中间层的材料，选用中间层材料相对于非晶的种子层材料的接触角在10度～100度的范围的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，取向控制层由两层以上构成，包含从基板侧起的种子层、中间层，种子层为非晶结构，中间层材料相对于种子层材料的接触角在10度～100度的范围内。
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