[发明专利]太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 200880104843.9 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101790796A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 高桥明久;石桥晓;杉浦功;高泽悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的太阳能电池的制造方法是，所述太阳能电池包括：在设置于光入射侧的相反侧并作为功率取出电极发挥作用的背面电极与光伏电池之间配置的缓冲层、或者在多个光伏电池之间配置的中间电极，所述中间电极或者所述缓冲层由以ZnO为基本构成元素的透明导电膜构成。所述太阳能电池的制造方法包括：对包含所述透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压的同时，使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤，在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中，将所述溅射电压设为340V以下来进行溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池包括：在设置于光入射侧的相反侧并作为功率取出电极发挥作用的背面电极与光伏电池之间配置的缓冲层、或者在多个光伏电池之间配置的中间电极，所述中间电极或者所述缓冲层由以氧化锌为基本构成元素的透明导电膜构成，其特征在于，所述太阳能电池的制造方法包括：对包含所述透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压的同时，使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤，在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中，将所述溅射电压设为340伏以下来进行溅射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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