[发明专利]包括功率半导体管芯和热沉的子组件及其形成方法有效
申请号: | 200880104972.8 | 申请日: | 2008-07-09 |
公开(公告)号: | CN101796612A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 江挽澜;林光汉;彭智平 | 申请(专利权)人: | 威世通用半导体公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种半导体组件包括第一子组件,该第一子组件包括热沉和第一构图聚合物层,第一构图聚合物层设置在热沉表面上,以限定第一表面的暴露部。第一表面的暴露部从第一层沿着热沉表面径向向内延伸。子组件还包括第二构图聚合物层,第二构图聚合物层设置在第一构图聚合物层的径向靠外的部分上。第一层和第二层限定用于容纳功率半导体管芯的单元。在热沉表面的暴露部上以及单元中设置焊料材料。在第一层的径向向内的部分上的单元内设置功率半导体管芯,并且功率半导体管芯通过焊料材料热耦合到热沉。 | ||
搜索关键词: | 包括 功率 半导体 管芯 组件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体组件,包括:i.第一子组件,包括:热沉;第一构图聚合物层,所述第一构图聚合物层设置在所述热沉的表面上,以限定第一表面的暴露部分,所述第一表面的暴露部分从所述第一层沿着所述热沉表面径向向内延伸;第二构图聚合物层,所述第二构图聚合物层设置在所述第一构图聚合物层的径向靠外的部分上,所述第一层和所述第二层限定了用于容纳功率半导体管芯的单元;ii.焊料材料,所述焊料材料设置在所述热沉表面的暴露部上和所述单元中;以及iii.功率半导体管芯,所述功率半导体管芯位于所述第一层的径向向内的部分上的单元内,并且通过所述焊料材料热耦合到所述热沉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造