[发明专利]包括功率半导体管芯和具有暴露表面部分的热沉的子组件有效
| 申请号： | 200880104978.5 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101796634A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 江挽澜;林光汉;彭智平 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体组件包括具有热沉的第一子组件。焊料材料设置在热沉的第一表面中的暴露部分上。功率半导体管芯位于热沉的第一表面上，并且通过焊料材料与其热耦合。封装构图聚合物层设置在热沉的与第一表面相对的第二表面上，并且限定热沉的内表面部分。设置半导体封装，第一子组件、焊料材料和管芯位于半导体封装中，使得热沉的第二表面的内表面部分没有被半导体封装包围。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功率 半导体 管芯 具有 暴露 表面 部分 组件 | ||
【主权项】：
一种半导体组件，包括：第一子组件，所述第一子组件包括热沉；焊料材料，所述焊料材料设置在所述热沉的第一表面的暴露部分上；以及功率半导体管芯，所述功率半导体管芯位于所述热沉的第一表面上、并且通过所述焊料材料与其热耦合；封装构图聚合物层，所述封装构图聚合物层设置在所述热沉的与所述第一表面相对的第二表面上、并且限定了所述热沉的内表面部分；以及半导体封装，所述第一子组件、焊料材料和管芯位于所述半导体封装中，使得所述热沉的第二表面的内表面部分没有被所述半导体封装包围。
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