[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200880105580.3 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101796638A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 西格弗里德·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;许伟群 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其具有：至少一个光学有源第一区域(112)，用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)；以及至少一个光学有源第二区域(122)，用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)。在此，第一区域(112)设置在第一层(110)中，而第二区域(122)设置在第二层(120)中，其中第二层(120)在发射方向上设置在第一层(110)之上，并且具有与第一区域(112)关联的第一穿通区域(124)，该第一穿通区域至少部分对于第一区域(112)的电磁辐射(130)是能够透射的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有：-至少一个光学有源第一区域(112)，用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)，以及-至少一个光学有源第二区域(122)，用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射(130)，其特征在于，-第一区域(112)设置在第一层(110)中，而第二区域(122)设置在第二层(120)中，其中第二层(120)在发射方向上设置在第一层(110)之上，并且具有与第一区域(112)关联的第一穿通区域(124)，该第一穿通区域至少部分对于第一区域(112)的电磁辐射(130)是能够透射的。
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