[发明专利]半导体元件、其制造方法及实装其的实装构造体有效
申请号: | 200880105635.0 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101796622A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 加藤谦一;下赤善男 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在机械可靠性及电可靠性两方面均优越的半导体元件及该半导体元件的实装结构体。该半导体元件具有:基板;设于基板上的导电层;设于导电层上且具有开口部的保护层;在开口部与导电层接合的金属屏蔽层;形成于金属屏蔽层上的导电性凸起。该金属屏蔽层含有磷,且具有含磷率大于其它部分的富磷部位。该富磷部位位于导电性凸起侧的表面部,且导电性凸起的形成区域的周缘部的厚度大于该形成区域的中央部的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 制造 方法 实装 构造 | ||
【主权项】:
一种半导体元件,其特征在于,具有:基板;导电层,其设于所述基板上;保护层,其设于所述导电层上且具有开口部;金属屏蔽层,其在所述开口部与所述导电层接合;导电性凸起,其形成于所述金属屏蔽层上,所述金属屏蔽层含有磷,且具有所述含磷率大于其它部分的富磷部位,所述富磷部位位于所述导电性凸起侧的表面部,且所述导电性凸起的形成区域的周缘部的厚度大于所述形成区域的中央部的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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