[发明专利]半导体元件、其制造方法及实装其的实装构造体有效

专利信息
申请号: 200880105635.0 申请日: 2008-09-02
公开(公告)号: CN101796622A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 加藤谦一;下赤善男 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朱丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种在机械可靠性及电可靠性两方面均优越的半导体元件及该半导体元件的实装结构体。该半导体元件具有:基板;设于基板上的导电层;设于导电层上且具有开口部的保护层;在开口部与导电层接合的金属屏蔽层;形成于金属屏蔽层上的导电性凸起。该金属屏蔽层含有磷,且具有含磷率大于其它部分的富磷部位。该富磷部位位于导电性凸起侧的表面部,且导电性凸起的形成区域的周缘部的厚度大于该形成区域的中央部的厚度。
搜索关键词: 半导体 元件 制造 方法 实装 构造
【主权项】:
一种半导体元件,其特征在于,具有:基板;导电层,其设于所述基板上;保护层,其设于所述导电层上且具有开口部;金属屏蔽层,其在所述开口部与所述导电层接合;导电性凸起,其形成于所述金属屏蔽层上,所述金属屏蔽层含有磷,且具有所述含磷率大于其它部分的富磷部位,所述富磷部位位于所述导电性凸起侧的表面部,且所述导电性凸起的形成区域的周缘部的厚度大于所述形成区域的中央部的厚度。
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