[发明专利]双栅氧化物器件集成有效
| 申请号： | 200880105720.7 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101796631A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | G·V·卡尔维;S·B·萨马弗达姆;W·J·泰勒 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括在半导体衬底(12)中形成第一区域和第二区域的形成器件的方法。该方法还包括在所述第一区域上形成半导体材料，其中，所述半导体材料具有与第一半导体衬底不同的电特性、在所述第一区域上形成第一电介质材料(34)、在所述第一电介质材料和所述第二区域上形成第二电介质材料，其中，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料、以及在所述高介电常数材料(42)上沉积栅电极材料(44)。在一个实施例中，所述半导体材料是硅锗且所述半导体衬底是硅。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 器件 集成 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包括如下步骤：在半导体衬底中形成第一区域和第二区域；在第一区域之上形成半导体材料，其中，所述半导体材料具有与所述半导体衬底不同的电特性；在所述第一区域之上形成第一电介质材料；在所述第一电介质材料之上和所述第二区域之上沉积第二电介质材料，其中，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料；以及在所述第二电介质材料之上沉积栅电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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