[发明专利]采用铁、钌或锇环戊二烯一氧化碳络合物通过CVD或ALD形成含金属的薄膜的方法有效
| 申请号： | 200880106320.8 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101801987A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | R·坎卓利亚;R·奥迪德拉;N·宝格;D·韦伯尼 | 申请（专利权）人： | 西格玛-奥吉奇公司 |
| 主分类号： | C07F15/00 | 分类号： | C07F15/00;C07F15/02;C23C16/16;C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了通过化学相沉积，特别是原子层沉积(ALD)和化学蒸气沉积(CVD)形成含金属的薄膜的方法。该方法包含将至少一种有机金属前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(II)，其中：M是Ru、Fe或Os；R是C1-C10-烷基；X是C1-C10-烷基；和n是零、1、2、3、4或5。进一步提供了制备本文公开的前体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 锇环戊二烯 一氧化碳 络合物 通过 cvd ald 形成 金属 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
通过原子层沉积形成含金属的薄膜的方法，该方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述前体在结构上对应于式II：Cp(R)nM(CO)2(X)(式II)其中：M是Ru、Fe或Os；R是C1-C10-烷基；X是C1-C10-烷基；n是零、1、2、3、4或5。
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