[发明专利]外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法有效
| 申请号： | 200880106397.5 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101802273A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 百瀬賢治;小田原道哉;松沢圭一;奥村元;児島一聡;石田夕起;土田秀一;鎌田功穗 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所;财团法人电力中央研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/42;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 sic 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括：将c面或以大于0度且小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片；和形成在所述SiC单晶晶片的所述主面上的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。
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