[发明专利]基板载置机构和基板处理装置有效
申请号: | 200880106580.5 | 申请日: | 2008-09-03 |
公开(公告)号: | CN101802257A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 原正道;五味淳;前川伸次;多贺敏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构,具备:加热板(21),其具有被处理基板载置面(21a),埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体,并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a);调温套,其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的,温度为不足成膜温度的非成膜温度,具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c);具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1);具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。 | ||
搜索关键词: | 基板载置 机构 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板载置机构,其特征在于,具备:加热板,该加热板具有被处理基板载置面,埋设有将所述被处理基板加热至膜堆积的成膜温度的加热体,并具备第一升降销插通孔,该第一升降销插通孔在所述被处理基板载置面侧具有宽径部,在所述被处理基板载置面的相反侧,具有直径比所述宽径部小的窄径部;调温套,该调温套被形成为至少覆盖所述加热板的被处理基板载置面以外的表面,温度为不足所述成膜温度的非成膜温度,并具备第二升降销插通孔,该第二升降销插通孔在所述被处理基板载置面侧具有宽径部,在所述被处理基板载置面的相反侧,具有直径比所述宽径部小的窄径部;第一升降销,该第一升降销插通于所述第一升降销插通孔,具备能够插通所述第一升降销插通孔的宽径部的盖部,和与该盖部连接的、能够插通所述第一升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部;和第二升降销,该第二升降销插通于所述第二升降销插通孔,具备能够插通所述第二升降销插通孔的宽径部的盖部,和与该盖部连接的、能够插通所述第二升降销插通孔的宽径部和窄径部双方的轴部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的