[发明专利]减少半导体装置中的噪声有效
| 申请号： | 200880106617.4 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101802924A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 维沙尔·萨林;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;辉俊胜 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包含用于减少半导体装置中的噪声的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包含向半导体装置的控制栅极施加复位电压达一时间周期。所述方法进一步包含在施加所述复位电压之后感测所述半导体装置的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 半导体 装置 中的 噪声 | ||
【主权项】：
一种用于减少半导体装置中的噪声的方法，其包括：向所述半导体装置的控制栅极(233)施加复位电压(471)达一时间周期(473)；及在施加所述复位电压(471)之后感测所述半导体装置的状态。
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