[发明专利]基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质有效
| 申请号： | 200880106639.0 | 申请日： | 2008-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101802976A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 原正道;五味淳;前川伸次;多贺敏;山本薰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/458;C23C16/46;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。 | ||
| 搜索关键词： | 基板载置 机构 处理 装置 抑制 堆积 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种基板载置机构，其特征在于，包括：加热器板，其具有被处理基板载置面并且埋设有将所述被处理基板加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体；和调温护套，其以至少覆盖所述加热器板的被处理基板载置面以外的表面的方式形成，并且其温度为低于所述成膜温度的非成膜温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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