[发明专利]蚀刻后聚合物残留除去方法有效

专利信息
申请号: 200880107210.3 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101802983A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 尹秀敏;马克·威尔考克森;朱吉;庄凯文;小伟·庄;娄大卫 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 代理人: 樊英如
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统,包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留,其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
搜索关键词: 蚀刻 聚合物 残留 除去 方法
【主权项】:
一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法,包含:确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质,该干式快速化学物质被配置为选择性地除去区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留,其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征,该干式快速化学物质是由干式清洁化学物质组成的;使用短快速处理施用确定的干式快速化学物质,干式快速化学物质的该短快速施用能够除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分;以及向该衬底表面施用湿式清洁化学物质,该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
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