[发明专利]制造硅绝缘体晶圆的单晶圆植入机无效
| 申请号： | 200880107324.8 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101802980A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·G·布雷克;由里·艾洛克海;乔纳森·吉罗德·英格兰 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 绝缘体 单晶圆 植入 | ||
【主权项】：
一种离子植入机，包括：离子束源，用于将由氧与氮所构成的族群中选出的离子产生为具有一定剂量范围的离子束，所述离子束的剂量范围由氧大约1E17至4E17cm-2、氧大约1至3E15cm-2以及氮大约1E17至2E18cm-2所构成的族群中选出；分析器磁体，用于自所述离子束移除不想要的物质；以及具有背面气体热耦合的静电夹盘，所述静电夹盘用于固持单个工件而通过具有所述剂量范围的所述离子束来进行硅绝缘体的植入，所述静电夹盘用于冷却所述工件至大约300℃至600℃的温度范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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