[发明专利]薄膜形成装置、膜厚测定方法、膜厚传感器

摘要

本发明涉及薄膜形成装置、膜厚测定方法、膜厚传感器。本申请中提供一种即使产生剥落也能够测定正确的膜厚的技术。根据当前时刻(a0)处的膜厚传感器(15)的共振频率(f0)和紧前的过去时刻(a1)的共振频率(f1)的值算出差频(Δf0)，根据与其符号或基准值的比较结果判断有无剥落。在发生剥落的情况下，在根据在将来时刻(ax)测定的共振频率(fx)求出的增加膜厚值(T)上加上剥落的膜厚(Δt0)，求出修正膜厚值(T’)，换算为成膜对象物(18)的膜厚，与目标值进行比较，判断成膜结束。即使在膜厚传感器(15)上产生剥落，也能够求出成膜对象物(18)表面的薄膜的正确的膜厚值。

主权项

一种薄膜形成装置，具有：真空槽；薄膜材料源，配置在所述真空槽内，用于释放薄膜材料粒子；晶体振子，配置在所述真空槽内的所述薄膜材料粒子附着的位置；以及测定装置，测定所述晶体振子的共振频率，并且，以如下方式构成：一边利用所述薄膜材料粒子在配置在所述真空槽内的成膜对象物表面和所述晶体振子表面生长薄膜，一边反复测定所述共振频率，基于当前时刻的测定结果和所述薄膜的生长开始时的测定结果，计算出从所述生长开始时至所述当前时刻所形成的所述成膜对象物表面的所述薄膜的膜厚，与目标值进行比较，根据比较结果使所述薄膜的生长结束，该薄膜形成装置的特征在于，所述测定装置求出所述当前时刻的测定结果和所述当前时刻的紧前的过去时刻的测定结果之差即频率变化值，在所述晶体振子表面的所述薄膜发生剥落的情况下，根据所述频率变化值计算出剥落膜厚值，在根据所述当前时刻以后的将来时刻的测定结果和所述生长开始时的测定结果求出的所述晶体振子表面的薄膜的膜厚值上，加上所述剥落膜厚值，求出修正膜厚值，将所述修正膜厚值换算成所述成膜对象物表面的膜厚值，与所述目标值进行比较。