[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880107842.X | 申请日： | 2008-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101803032A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | N·曲;A·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体装置，具有一个具有作为箝位元件的、集成的衬底PN二极管的沟槽式MOS势垒肖特基二极管(TMBS-Sub-PN)，其特别适合作为具有约20V的击穿电压的Z功率二极管应用于机动车发电机系统中，其中TMBS-Sub-PN由肖特基二极管、MOS结构以及PN二极管的一个组合组成并且衬底PN二极管的击穿电压BV_pn低于肖特基二极管的击穿电压BV_schottky并且低于MOS结构的击穿电压BV_mos。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
具有一沟槽式MOS势垒肖特基二极管的半导体装置，所述沟槽式MOS势垒肖特基二极管包括肖特基二极管、MOS结构以及作为箝位元件的PN二极管的至少一个组合，其特征在于，所述PN二极管被构造为集成的衬底PN二极管并且所述衬底PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于所述肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)并且低于所述MOS结构的击穿电压(BV_mos)。
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