[发明专利]OH、OD含量低的熔凝氧化硅及其制备方法无效
| 申请号： | 200880108221.3 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101801864A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | R·R·赫拉帕孔;N·勒布隆;J·E·廷戈尔 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B19/14 | 分类号： | C03B19/14;C03C3/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种熔凝氧化硅制品，其中羟基(OH)和氘氧基(OD)的合并浓度小于10ppm，在一个实施方式中小于1ppm。所述熔凝氧化硅制品通过在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥烟炱坯体形成。干燥烟炱坯体可任选掺杂，使熔凝氧化硅制品中的OH和OD浓度达到目标水平，并改善均匀性。然后，氧化和烧结所述干燥烟炱坯体，形成制品。本发明还描述了将OH和OD的合并浓度降至小于10ppm的方法。 | ||
| 搜索关键词： | oh od 含量 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种熔凝氧化硅制品，所述熔凝氧化硅制品中OH和OD的平均合并浓度小于约10ppm，其中所述熔凝氧化硅制品通过以下步骤形成：a.提供烟炱坯体；b.在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥所述烟炱坯体；c.氧化干燥的烟炱坯体；以及d.烧结所述坯体，形成熔凝氧化硅制品。
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