[发明专利]辐照发射装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880108606.X 申请日: 2008-09-25
公开(公告)号: CN101816080A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: M·费勒;K·霍伊泽;E·霍夫林;T·施伦克;A·英格尔;M·波普;M·克莱因;N·里格尔;G·施米德;R·克劳斯;S·塞德尔;F·科兹劳斯基;A·孔策;G·吉雷斯 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 石克虎;李连涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及辐照发射装置,其具有第一电极(100)、第一发射层(400)、第二发射层(410)和第二电极(110)。此外,本发明涉及制造辐照发射装置的方法。
搜索关键词: 辐照 发射 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
辐照发射装置,其包括:-第一电极(100),其在运行中发出第一电荷的载流子,-第一发射层(400),其具有第一发射材料且设置在所述第一电极(100)上,-第二发射层(410),其具有第二发射材料且设置在所述第一发射层(400)上,以及-第二电极(110),其在运行中发出第二电荷的载流子且设置在所述第二发射层(410)上,其中-所述第一和/或第二发射材料是发磷光的,并且所述第一发射材料在与第二发射材料不同的波长发出辐照。
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