[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现装置无效
| 申请号： | 200880108642.6 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101828222A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木有三;桥本笃志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/66;G11B5/667;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种垂直磁记录装置，其至少包括均设置在非磁性基底上的软磁性层、下垫层、中间层以及垂直磁记录层，其中所述垂直磁记录层由具有一个或多个组成层的磁性层构成，其中所述磁性层中的至少一个组成层包括氧化物晶粒边界和主要由钴构成的铁磁晶粒，并且其中所述铁磁晶粒包含钌。在所述垂直磁记录介质中，可以获得以下所有方面：垂直磁记录层中的晶粒之间的分离、晶粒尺寸的微细化以及垂直取向性。因此该垂直磁记录介质能够记录/再现高密度的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 制造 方法 以及 再现 装置 | ||
【主权项】：
一种垂直磁记录装置，其至少包括形成在非磁性基底上的软磁性层、下垫层、中间层以及垂直磁记录层，其特征在于，所述垂直磁记录层包括至少一个磁性层，该一个磁性层或多个磁性层中的至少一个包括主要由钴构成的铁磁晶粒和由氧化物构成的晶界，其中所述铁磁晶粒还包含钌。
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