[发明专利]具有存在反应性气体空间分离的气体输送头和通过该输送头的基材运动的形成薄膜用的方法和沉积系统无效
申请号: | 200880108808.4 | 申请日: | 2008-09-24 |
公开(公告)号: | CN101821427A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | D·H·莱维;R·S·克尔;J·T·凯里 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 范赤;韦欣华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了在基材上沉积薄膜材料的方法,包括从薄膜沉积系统的输送头的输出面朝基材表面同时引导一系列气流,其中所述一系列气流包括至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料,其中第一反应性气态材料能与用第二反应性气态材料处理过的基材表面反应。还公开了能够进行这种方法的系统。 | ||
搜索关键词: | 具有 存在 反应 性气 空间 分离 气体 输送 通过 基材 运动 形成 薄膜 方法 沉积 系统 | ||
【主权项】:
将固体材料薄膜沉积到基材上的系统,包括:A)至少第一、第二和第三气态材料的至少第一、第二和第三源;(B)具有基材表面和单位面积平均重量的基材;(C)将气态材料输送至用于薄膜沉积的基材表面的沉积输送头,其包括:i)分别用于接收第一、第二和第三气态材料的至少第一、第二和第三入口;ii)至少一个用于排出废气的排气端口;和iii)邻近基材表面的输出面,包括多个细长开口,其中(a)各入口独立地连向沉积输送头的面中的至少一个第一、第二和第三细长输出口,各自与相应的细长第一、第二和第三细长发射通道相连,以向基材供应各自的气态材料;且(b)至少一个排气端口连向沉积输送头的面中的至少两个细长排气口,各自与相应的细长排气通道相连,各自具有相关压力,其中布置至少两个细长排气口以使至少第一、第二或第三细长输出口位于至少两个细长排气口之间;且其中至少部分通过由一种或多种气态材料流从细长输出口到基材表面产生的压力保持输出面与基材表面之间的基本均匀的距离,且其中以帕斯卡为单位测得的大气压与细长排气口的平均压力之差为也以帕斯卡为单位测得的基材单位面积平均重量的至少两倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880108808.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多功能教室布局结构
- 下一篇:一种书车
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的