[发明专利]电压电流控制装置及方法有效

专利信息
申请号: 200880109158.5 申请日: 2008-09-11
公开(公告)号: CN101809854A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 张育诚 申请(专利权)人: 万国半导体有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 徐雯琼;张妍
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种电压电流控制装置及方法,此电压电流控制装置包含一下边场效晶体管(low-side FET)与一上边场效晶体管(high-side FET)、一栅极控制集成电路(IC)、一样本保持电路(sample and hold circuit)及一比较器,当一第一输入讯号与一第二输入讯号总合等于一第三输入讯号与一第四输入讯号总合时,此比较器将产生一触发讯号以开始新周期,以使得此上边场效晶体管(high-side FET)为导通,此下边场效晶体管(low-side FET)为截止,如此周期循环将使输出电压趋于稳定。
搜索关键词: 电压 电流 控制 装置 方法
【主权项】:
一种电压电流控制装置,其特征在于,包含:一下边场效晶体管(FET),包含一源极、一栅极及一漏极,且所述下边场效晶体管的所述漏极连接于接地端;一上边场效晶体管(FET),包含一源极、一栅极及一漏极,所述上边场效晶体管的所述漏极连接于一输入电压源,且所述上边场效晶体管的所述源极与所述下边场效晶体管的所述漏极做电性连接;一栅极控制集成电路(IC),包含一上边输出与一下边输出,所述上边输出与所述上边场效晶体管的所述栅级做电性连接,所述下边输出与所述下边场效晶体管的所述栅极做电性连接;一个样本保持电路,其于所述下边场效晶体管(FET)为导通,在周期的部份期间用以样本或储存通过一负载的一第一输入讯号电流。一比较器,其输出连接于所述栅极控制集成电路(IC)的输入,并用以接收所述第一输入讯号和一第二输入讯号的组合讯号及一第三输入讯号和一第四输入讯号的组合讯号,所述第二输入讯号为一目标电压,所述第三输入讯号为电流周期通过所述负载的电流,所述第四输入讯号为横跨于所述负载的一输出电压,所述比较器将输出一触发讯号于所述第一输入讯号与所述第二输入讯号的总合相等于所述第三输入讯号与所述第四输入讯号的总合,并且所述触发讯号用以触发新周期的开始以使所述上边场效晶体管(FET)为导通,所述下边场效晶体管(FET)为截止。
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