[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置无效
| 申请号： | 200880109310.X | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101809660A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黑川刚平;佐々木有三;小松田辰;桥本笃志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/65;G11B5/667;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层，并且，所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。另外，所述bcc结构的(110)晶体取向层优选是含有60原子％以上的Cr的结构。该磁记录介质，通过兼具垂直磁记录层的晶体粒径的分离，晶体粒径的微细化和垂直取向性而具有能够记录再生高密度信息的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于，所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层，所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。
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