[发明专利]用于处理包含四氟化硅和氯化氢的气流的方法无效
申请号: | 200880109341.5 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101827642A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 维塔尔·雷万卡尔;贾米勒·伊布拉希姆 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | B01D53/40 | 分类号: | B01D53/40;B01D53/68 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;张蓉珺 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于处理包含四氟化硅和氯化氢的气流的方法。例如,本发明涉及处理此类气流的方法,所述方法包括将气流与和氯化氢反应的金属接触以提供具有下降的氯化氢含量的经处理的气流。本发明还涉及用于使包含四氟化硅和氯化氢的气流经受高压以提供适合运输的气流的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 包含 氟化 氯化氢 气流 方法 | ||
【主权项】:
用于从包含四氟化硅并具有初始氯化氢含量的气流中除去氯化氢的方法,所述方法包括将气流与金属源接触,其中金属与氯化氢反应,由此优先从气流中除去氯化氢并提供包含四氟化硅且具有下降的氯化氢含量的经处理的气流,所述下降的氯化氢含量不大于约90%(v/v)的初始氯化氢含量。
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