[发明专利]电介质蚀刻中的形貌控制无效
| 申请号： | 200880109447.5 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101809721A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 池景具;乔纳森·金 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种蚀刻电介质层的方法。该电介质层设在基片上方和具有线距图案的图案化掩模下方。该方法包括(a)提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体，(b)由该蚀刻剂气体形成等离子，和(c)利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻为该线距图案。该CF4的气体流率的比率可大于所有反应性气体组分的总的气体流率的50％。该COS的气体流率可在1％和50％之间。该方法通过添加COS至该蚀刻剂气体减少该电介质层蚀刻中的弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 蚀刻 中的 形貌 控制 | ||
【主权项】：
一种蚀刻电介质层的方法，该电介质层设在基片上方和具有线距图案的图案化掩模下方，该方法包括：提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体；由该蚀刻剂气体形成等离子；以及利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻成该线距图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
